型号: PMZ600UNEZ
功能描述: PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): .7nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 21.3pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360mW(Ta),2.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN1006-3
封装/外壳: SC-101,SOT-883
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