型号:  PMZB350UPE,315

功能描述:  MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-1006B-3

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  940 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  715 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  1.4 S

下降时间:  9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26 ns

典型接通延迟时间:  4 ns

单位重量:  0.690 mg