型号: PN100_G
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）: 400mV @ 20mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 150mA，5V
功率 - 最大值: 625mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装: TO-92-3
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