型号: PNMT8N1
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 1mA 漏源导通电阻：500mΩ @ 300mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
制造商: Prisemi 芯导
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA
栅源极阈值电压: 1.1V @ 1mA
漏源导通电阻: 500mΩ @ 300mA,4V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: N沟道
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