型号: PPMT30V4
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：P沟道
制造商: Prisemi 芯导
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.2W
类型: P沟道
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