型号: PSMN004-60P
功能描述: MOSFET RAIL PWR-MOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 230 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 74 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 133 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：金R
电话：15012763805
Q Q:
联系人：马现恩
Q Q:
联系人：何先生
电话：13688943677
Q Q:
