型号: PSMN006-20K
功能描述: MOSFET
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 32 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 8.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 90 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 32 ns
典型关闭延迟时间: 190 ns
典型接通延迟时间: 65 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13641496086
Q Q:
联系人：禹露
Q Q:
联系人：赵刚
电话：13572203776
Q Q:
