PSMN1R2-25YL,115规格参数_PSMN1R2-25YL,115全国代理商/分销商

型号: PSMN1R2-25YL,115
功能描述: PSMN1R2-25YL Series 25V 1.2 mO 121 W 105 nC N-Channel Logic Level Mosfet - LFPAK
制造商: Nexperia
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.15V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 105nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6380pF @ 12V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 121W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.2 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK
封装形式Package： LFPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 25V
连续漏极电流ID： 100A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs