型号: PSMN1R5-25MLHX
功能描述: MOSFET N-CH 25V LFPAK33
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 1.81 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 58nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3167pF @ 12V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 106W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK33
封装/外壳: SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：黄堂林
电话：13537570405
Q Q:
联系人：曾
电话：18968228899
Q Q:
