型号: PSMN2R0-30YLE,115
功能描述: MOSFET N-channel 30 V 2 mo FET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK56-5
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 272 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Nexperia
下降时间: 29.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55.7 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41.5 ns
典型接通延迟时间: 32.7 ns
单位重量: 85.600 mg
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