型号: PSMN2R4-30MLD
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):91W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Nexperia(安世)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 70A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.2V @ 1mA
漏源导通电阻: 2.4mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 91W(Tc)
类型: N沟道
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