型号: PSMN2R8-25MLC,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 1,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 70A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 37.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2432pF@ 12.5V
功率 - 最大值: 88W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
供应商器件封装: LFPAK33
其它名称: 568-9572-2934066944115PSMN2R825MLC115
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