型号: PSMN3R0-60BS,118
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8079pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 30V
功率耗散（最大值）： 306W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.2 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王
电话：13342971551
Q Q:
联系人：陈杨俊
电话：15889395990
Q Q:
联系人：刘小姐，苏先生
电话：13798203645
Q Q:
