PSMN3R3-80BS,118规格参数_PSMN3R3-80BS,118全国代理商/分销商

型号: PSMN3R3-80BS,118
功能描述: PSMN Series 80 V 3.5 mOhm Standard Level N-Channel TrenchMOS Transistor TO-263-3
制造商: Nexperia
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 120A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 111nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8161pF @ 40V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 306W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3.5 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： D2PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 80V
连续漏极电流ID： 120A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs