型号: PSMN4R0-30YLD
功能描述: MOSFET N-CH 30V LFPAK
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS™
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 95A （Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 19.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1272pF @ 15V
功率 - 最大值： 64W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装： LFPAK56， Power-SO8
其它名称： 568-10433-1
ROHS： 含铅
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