型号:  PSMN4R6-60PS,127

功能描述:  MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  70.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  211 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  9.4 mm

长度:  10.3 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel 60 V 4.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

宽度:  4.7 mm

商标:  Nexperia

下降时间:  22 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  24 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  58 ns

典型接通延迟时间:  26 ns

单位重量:  6 g