型号: PSMN5R6-100BS,118
功能描述:
制造商: Nexperia
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 141nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8061pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 306W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.6 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： D2PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 100A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
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联系人：蔡小姐
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联系人：木易
电话：13352985419
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联系人：张恒
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联系人：李建伟
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Q Q:
