型号:  PSMN9R1-30YL,115

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  LFPAK56-5

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  57 A

Rds On-漏源导通电阻:  9.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  8.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  52 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Nexperia

下降时间:  7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  74 mg