型号: PT200MC0NP
功能描述:
制造商: Sharp Microelectronics
产品种类: Phototransistors
最大功率耗散: 50 mW
最大暗电流: 100 nA
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
下降时间: 6 us
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 25 C
上升时间: 5 us
工厂包装数量: 3000
类型: Phototransistor
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