型号: PT5529B-L2-F
功能描述: 光电晶体管 IR Phototransistor
制造商: Everlight
制造商: Everlight
产品种类: 光电晶体管
RoHS: 是
商标: Everlight
产品: Phototransistors
封装 / 箱体: Side View
安装风格: Through Hole
开启状态集电极最大电流: 20 mA
暗电流: 100 nA
上升时间: 15 us
下降时间: 15 us
Pd-功率耗散: 75 mW
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—射极击穿电压: 30 V
集电极—射极饱和电压: 0.4 V
封装: Bulk
工厂包装数量: 500
类型: Side Face Silicon Phototransistor
波长: 940 nm
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
联系人：赵先生
电话：18676373945
Q Q:
