型号: PTA05N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道
制造商: PIP(丽隽)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.5Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 36W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：刘
电话：13701717479
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18923795677
Q Q:
联系人：任亚洲
电话：13549237550
Q Q:
