型号: PTAB182002TCV2R250XTMA1
功能描述: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.805GHz ~ 1.88GHz
增益: 14.8dB
电压 - 测试: 28V
额定电流(安培): 10µA
噪声系数: -
电流 - 测试: 520mA
功率 - 输出: 29W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: H-49248H-4
供应商器件封装: H-49248H-4
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