型号: PTFA091201GLV1R250
功能描述:
制造商: Infineon
产品种类: 射频MOSFET电源晶体管
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
频率: 920 MHz to 960 MHz
增益: 18.5 dB
输出功率: 120 W
汲极/源极击穿电压: 65 V
漏极连续电流: 750 mA
闸/源击穿电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: PG-63248-2
封装: Reel
安装风格: SMD/SMT
功率耗散: 625 W
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