型号: PTVA120121M-V1-R1K
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 105 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.96 Ohms
增益: 21.5 dB
输出功率: 12 W
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-SON-10
封装: Reel
工作频率: 500 MHz to 1400 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
联系人：Alien
Q Q:
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