型号: PTVA123501EC-V2-R0
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 150 mA
Vds-漏源极击穿电压: 105 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
增益: 17 dB
输出功率: 350 W
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: H-36248-2
封装: Reel
工作频率: 1200 MHz to 1400 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 3.35 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：郑生
电话：13692278722
Q Q:
联系人：危女士
电话：13419674900
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
