型号:  PUMB4.115

功能描述:   Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  3,000

晶体管类型：  2 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  10k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 1mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  150mV @ 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

频率转换：  -

功率 - 最大：  300mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装：  6-TSSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR);;其他的名称；

包装：  6TSSOP

配置：  Dual

类型：  PNP

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  100 mA

最小直流电流增益：  200@1mA@5V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  TSSOP

标准包装名称：  TSSOP

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -65

包装高度：  1(Max)

典型输入电阻：  10

最大功率耗散：  300

封装：  Tape and Reel

Maximum Continuous DC Collector Current ：  100

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@0.5mA@10mA

包装宽度：  1.35(Max)

PCB：  6

包装长度：  2.2(Max)

最大集电极发射极电压：  50

引脚数：  6

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  10k

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  150mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  6-TSSOP

功率 - 最大：  300mW

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 1mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors Switching - Resistor Biased

晶体管极性：  PNP/PNP

最低工作温度：  - 65 C

典型输入电阻：  10 KOhms

直流集电极/增益hfe最小值：  200

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 50 V

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

功率耗散：  200 mW

安装风格：  SMD/SMT

零件号别名：  PUMB4 T/R