型号: PUMD12
功能描述: NPN/PNP resistor-equipped transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
晶体管极性: npn型/ PNP输出
电压, Vceo: 50V
功耗, Pd: 200mW
集电极直流电流: 100mA
直流电流增益 hFE: 80
工作温度范围: -65°C 到 +150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功耗: 200mW
封装类型: SOT-363
总功率, Ptot: 300mW
晶体管数: 2
晶体管类型: 偏压电阻（BRT）
最大连续电流, Ic: 100A
模块配置: 双
满功率温度: 25°C
电压, Vcbo: 50V
电流, Ic hFE: 10mA
电流, Ic 最大: 100A
电阻, R1: 47kohm
电阻, R2: 47kohm
直流电流增益 hfe, 最小值: 100
表面安装器件: 表面安装
饱和电压, Vce sat 最大: 150mV
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：胡涛涛
电话：13818735242
Q Q:
联系人：洪先生
电话：18257347182
Q Q:
联系人：王辉燕
电话：18926529691
Q Q:
