型号: PUMD4,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 10k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): -
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 200 @ 1mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: 6-TSSOP
其它名称: 568-11280-2934057889115PUMD4 T/RPUMD4 T/R-NDPUMD4,115-ND
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