型号: PUMD6
功能描述: NPN/PNP resistor-equipped transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
晶体管极性: npn型/ PNP输出
电压, Vceo: 50V
功耗, Pd: 200mW
集电极直流电流: 100mA
直流电流增益 hFE: 200
工作温度范围: -65°C 到 +150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功耗: 200mW
封装类型: SOT-363
总功率, Ptot: 300mW
晶体管数: 2
晶体管类型: 偏压电阻（BRT）
最大连续电流, Ic: 100A
模块配置: 双
满功率温度: 25°C
电压, Vcbo: 50V
电流, Ic hFE: 1mA
电流, Ic 最大: 100A
电阻, R1: 4.7kohm
电阻, R1 PNP: 4.7kohm
直流电流增益 hfe, 最小值: 200
表面安装器件: 表面安装
饱和电压, Vce sat 最大: 100mV
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