型号:  PUMT1.115

功能描述:   Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin TSSOP T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  200mV @ 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  120 @ 1mA, 6V

功率 - 最大：  300mW

频率转换：  100MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装：  6-TSSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6TSSOP

类型：  PNP

引脚数：  6

最大集电极发射极电压：  40 V

集电极最大直流电流：  0.1 A

最小直流电流增益：  120@1mA@6V

最大工作频率：  100(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.2@5mA@50mA V

最大集电极基极电压：  50 V

工作温度：  -65 to 150 °C

最大功率耗散：  200 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.1

最低工作温度：  -65

Maximum Transition Frequency ：  100(Min)

包装宽度：  1.35(Max)

PCB：  6

最大功率耗散：  200

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  2

最大集电极基极电压：  50

最大集电极发射极电压：  40

供应商封装形式：  TSSOP

标准包装名称：  TSSOP

最高工作温度：  150

包装长度：  2.2(Max)

包装高度：  1(Max)

最大基地发射极电压：  5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

供应商设备封装：  6-TSSOP

功率 - 最大：  300mW

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  120 @ 1mA, 6V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

类别：  Bipolar Small Signal

配置：  Dual

外形尺寸：  1 x 2.2 x 1.35mm

身高：  1mm

长度：  2.2mm

最大基地发射极电压：  5 V

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  UMT

宽度：  1.35mm

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  100 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  120 at 1 mA at 6 V

直流电流增益hFE最大值：  120 at 1 mA at 6 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  40 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  50 V

零件号别名：  PUMT1 T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.1 A

集电极 - 基极电压：  50 V

集电极 - 发射极电压：  40 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率（最大）：  100 MHz

功率耗散：  0.2 W

工作温度范围：  -65C to 150C

元件数：  2

直流电流增益（最小值）：  120

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

频率：  100 MHz