型号: PXAC201202FC-V2-R0
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 240 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
增益: 16.5 dB
输出功率: 120 W
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: H-37248-4
封装: Reel
工作频率: 1800 MHz to 2200 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 2.69 V
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