型号: PXAD214218FV-V1-R2
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
增益: 16 dB
输出功率: 430 W
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H-37275G-6/2
封装: Reel
工作频率: 2110 MHz to 2170 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:Alien
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:赵小姐
电话:13049883113
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:可乔
电话:18565707557
联系人:林
电话:18025352849
联系人:贺文华
电话:13066866558