型号:  PXT2222A.115

功能描述:   Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  1V @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  100 @ 150mA, 10V

功率 - 最大：  1.1W

频率转换：  300MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

类型：  NPN

引脚数：  4

最大集电极发射极电压：  40 V

集电极最大直流电流：  0.1 A

最小直流电流增益：  35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@10V|100@150mA@10V|40@500mA@10V

最大工作频率：  300(Min) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA V

最大集电极基极电压：  60 V

工作温度：  -65 to 150 °C

最大功率耗散：  1100 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.1

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-89

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  1100

最大基地发射极电压：  6

Maximum Transition Frequency ：  300(Min)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  60

供应商封装形式：  SOT-89

最大集电极发射极电压：  40

铅形状：  Flat

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  300MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  40V

供应商设备封装：  SOT-89-3

功率 - 最大：  1.1W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  100 @ 150mA, 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1181-1

类别：  Medium Power

配置：  Dual Collector, Single

外形尺寸：  4.6 x 2.6 x 1.6mm

身高：  1.6mm

长度：  4.6mm

最大的基射极饱和电压：  2 V

最大基地发射极电压：  6 V

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  SOT-89

宽度：  2.6mm

工厂包装数量：  1000

增益带宽产品fT：  300 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  35 at 0.1 mA at 10 V, 50 at 1 mA at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 50 at 150 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V

直流电流增益hFE最大值：  35 at 0.1 mA at 10 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  40 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  60 V

零件号别名：  PXT2222A T/R

RoHS：  RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :-60V

Transition Frequency ft：  :200MHz

功耗：  :500mW

DC Collector Current：  :-600mA