型号:  Q62702P3587

功能描述:   Phototransistor IR Chip Silicon 990nm 3-Pin T-1 3/4

制造商:  osram opto semiconductor

包装：  3T-1 3/4

类型：  IR Chip

光电晶体管类型：  Phototransistor

最大集电极电流：  50 mA

峰值波长：  990 nm

透镜形状类型：  Domed

镜头规格：  5.1 mm

观看方向：  Top View

半强度角度：  40 °

最大上升时间：  13000/15000 ns

极性：  NPN

截止滤光片：  Visible Cut-off

标准包装：  Tape & Reel

最大光电流：  3200/2500

安装：  Through Hole

最大集电极发射极饱和电压：  0.15

PCB：  3

最大功率耗散：  200

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的通道数：  1

引脚数：  3

最大暗电流：  50

峰值波长：  990

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  T-1 3/4

标准包装名称：  T-1 3/4

最高工作温度：  100

半强度角度：  40

最大集电极发射极电压：  70

包装高度：  9(Max)

Package Diameter ：  5.9(Max)

最大集电极电流：  50

铅形状：  Through Hole

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.05 A

集电极 - 发射极电压：  70 V

半强度角：  40 deg

功率耗散：  0.2 W

工作温度范围：  -40C to 100C

包装类型：  T-1 3/4

封装：  Tape and Reel

暗电流（最大值）：  50 nA

元件数：  1

工作温度分类：  Industrial

集电极 - 发射极电压星期六（最大值）：  0.15 V

弧度硬化：  No

暗电流：  50 nA

光电流：  3200/2500 uA

集电极电流（DC ）：  0.05 A