型号:  Q62702P3600

功能描述:   Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4

制造商:  osram opto semiconductor

包装：  2T-1 3/4

类型：  Chip

光电晶体管类型：  Phototransistor

最大的发射极集电极电压：  7 V

最大集电极电流：  50 mA

峰值波长：  850 nm

透镜形状类型：  Domed

镜头规格：  5.1 mm

观看方向：  Top View

半强度角度：  80 °

最大上升时间：  10000/12000 ns

极性：  NPN

标准包装：  Bulk

最大光电流：  5400/8600

安装：  Through Hole

最大集电极发射极饱和电压：  0.15

引脚数：  2

PCB：  2

筛选等级：  Industrial

最大功率耗散：  200

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的通道数：  1

最大下降时间：  10000/12000

最大暗电流：  200

峰值波长：  850

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  T-1 3/4

标准包装名称：  T-1 3/4

最高工作温度：  100

最大的发射极集电极电压：  7

半强度角度：  80

最大集电极发射极电压：  70

包装高度：  6.9(Max)

Package Diameter ：  5.9(Max)

最大集电极电流：  50

最大上升时间：  10000/12000

铅形状：  Through Hole

集电极电流（DC ）：  0.05 A

集电极 - 发射极电压：  70 V

发射极 - 集电极电压（最大值）：  7 V

半强度角：  80 deg

功率耗散：  0.2 W

工作温度范围：  -40C to 100C

包装类型：  T-1 3/4

上升时间：  10000/12000 ns

暗电流：  200 nA

光电流：  5400/8600 uA

元件数：  1

工作温度分类：  Industrial

集电极 - 发射极电压星期六（最大值）：  0.15 V

下降时间：  10000/12000 ns

弧度硬化：  No