型号:  Q62702P5199

功能描述:   Phototransistor IR Chip Silicon 900nm 2-Pin T-1

制造商:  osram opto semiconductor

包装：  2T-1

类型：  IR Chip

光电晶体管类型：  Phototransistor

最大集电极电流：  15 mA

峰值波长：  900 nm

透镜形状类型：  Domed

镜头规格：  3.1 mm

观看方向：  Top View

半强度角度：  24 °

最大上升时间：  8000/9000 ns

极性：  NPN

截止滤光片：  Visible Cut-off

标准包装：  Tape & Reel

最大光电流：  7200/11200

安装：  Through Hole

最大集电极发射极饱和电压：  0.2

引脚数：  2

PCB：  2

最大功率耗散：  165

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的通道数：  1

最大下降时间：  8000/9000

最大暗电流：  200

峰值波长：  900

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  T-1

标准包装名称：  T-1

最高工作温度：  100

半强度角度：  24

最大集电极发射极电压：  35

包装高度：  5.2(Max)

Package Diameter ：  4(Max)

最大集电极电流：  15

最大上升时间：  8000/9000

铅形状：  Through Hole