型号: Q65110A2629
功能描述: AMBIENT LIGHT SENSOR PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON 850NM 3-PIN DIL SMT T/R
制造商: OSRAM Opto Semiconductors
极性： NPN
最大光电流： 4200
安装： Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压： 0.17
包装宽度： 2.7(Max)
PCB： 3
最大功率耗散： 120
引脚数： 3
欧盟RoHS指令： Compliant
每个芯片的通道数： 1
最大下降时间： 34000
最大暗电流： 100
峰值波长： 850
最低工作温度： -40
光电晶体管类型： Phototransistor
供应商封装形式： DIL SMT
标准包装名称： DIP SMD
最高工作温度： 100
最大的发射极集电极电压： 7
包装长度： 2.1(Max)
半强度角度： 120
最大集电极发射极电压： 70
包装高度： 1.05(Max)
封装： Tape and Reel
最大集电极电流： 50
最大上升时间： 34000
铅形状： Gull-wing
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