型号:  Q65110A3121

功能描述:   Photodiode PIN Chip 880nm 0.65A/W Sensitivity 2-Pin DIL SMT

制造商:  osram opto semiconductor

包装：  2DIL SMT

类型：  Chip

波长：  880 nm

最大反向电压：  32 V

最大光电流：  50 uA

最大上升时间范围：  15 to 250 ns

最大暗电流：  30 nA

光电二极管材料：  Si

最低工作温度：  -40 °C

最高工作温度：  100 °C

标准包装：  Cut Tape

极性：  Reverse

最大光电流：  50

安装：  Surface Mount

包装宽度：  4(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  150

欧盟RoHS指令：  Compliant

照片灵敏度：  0.65A/W

最大反向电压：  32

最大下降时间：  20

光电二极管类型：  PIN

最大暗电流：  30

峰值波长：  880

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  DIL SMT

标准包装名称：  DIP SMD

最高工作温度：  100

最大正向电压：  1.3

包装长度：  4.5(Max)

引脚数：  2

包装高度：  1.2(Max)

最大上升时间：  20

铅形状：  Gull-wing

功率耗散：  0.15 W

工作温度范围：  -40C to 100C

包装类型：  DIL SMT

峰值波长：  880 nm

上升时间：  20 ns

暗电流：  30 nA

光电流：  50 uA

响应度：  0.65 A/W

工作温度分类：  Industrial

正向电压：  1.3 V

反向击穿电压：  32 V

下降时间：  20 ns

弧度硬化：  No