型号: QJD1210011
功能描述:
制造商: Powerex, Inc.
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2KV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 25 毫欧 @ 100A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 500nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10200pF @ 800V
功率 - 最大值： 900W
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： 模块
供应商器件封装： 模块
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：周小姐，高先生，曹先生，骆小姐
电话：13760272017
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：胡
电话：13380343102
Q Q:
