型号: QPD1025L
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 22.9 dB
Id-连续漏极电流: 28 A
输出功率: 1.5 kW
最大漏极/栅极电压: 225 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 758 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-4
封装: Tray
应用: Avionics, IFF Transponders
配置: Dual Gate Dual Drain
工作频率: 1 GHz to 1.1 GHz
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1025LEVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：彭先生
电话：17097219357
Q Q:
联系人：欧阳莹
电话：13510131896
Q Q:
联系人：段生
电话：18802904194
Q Q:
