QPD3601规格参数_QPD3601全国代理商/分销商

型号: QPD3601
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 22 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 360 mA
输出功率: 180 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 60.9 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI400-2
封装: Waffle
配置: Single
工作频率: 3.4 GHz to 3.6 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.7 V
零件号别名: 1130556