型号:  QS5U12TR

功能描述:  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSMT-5

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

Pd-功率耗散:  900 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  QS5U12

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.6 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21 ns

典型接通延迟时间:  8 ns

零件号别名:  QS5U12

单位重量:  14 mg