型号:  QS6M3TR

功能描述:  MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-457T-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V, 20 V

Id-连续漏极电流:  1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  260 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.25 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.85 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  QS6M3

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.6 mm

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  18 ns, 12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  18 ns, 12 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns, 45 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 10 ns

零件号别名:  QS6M3