型号: QS8J12
功能描述: 1.5V驱动P沟道+ P沟道MOSFET 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
封装: TSMT8
漏源极电阻: 0.049Ω
极性: Dual P
漏源极电压(Vds): -12V
最小包装: 3000
连续漏极电流(Ids): -4.5A
含铅标准: Lead free
RoHS标准: RoHS Compliant
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