型号: QSB320_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: Phototransistors
最大功率耗散: 165 mW
最大暗电流: 200 nA
封装 / 箱体: PLCC-2
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
下降时间: 8 us
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 55 C
封装: Bulk
上升时间: 8 us
类型: IR Chip
波长: 880 nm
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