型号: QSB363YR
功能描述: 光电晶体管 Phototransistor Si Infrared
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 光电晶体管
RoHS: 是
封装 / 箱体: T-3/4
峰值波长: 940 nm
工作电源电压: 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
暗电流: 100 nA
上升时间: 15 us
下降时间: 15 us
Pd-功率耗散: 75 mW
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 85 C
系列: QSB363
高度: 3 mm
长度: 2.7 mm
透镜颜色/类型: Black Transparent
封装: Cut Tape
封装: Reel
类型: Photo Transistor
宽度: 2.2 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
半强度角度: 12 deg
湿度敏感性: Yes
产品类型: Phototransistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Optical Detectors and Sensors
单位重量: 90 mg
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