型号: QSD123_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
最大功率耗散: 100 mW
最大暗电流: 100 nA
封装 / 箱体: T-1 3/4
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
下降时间: 7 us
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 40 C
封装: Bulk
上升时间: 7 us
类型: IR Chip
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Q Q:
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