型号: QST6TR
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR 12V 2A
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 360 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: QST6
直流电流增益 hFE 最大值: 270 at 200 mA, 2 V
高度: 0.85 mm
长度: 2.9 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 1.6 mm
商标: ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 270
Pd-功率耗散: 1250 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: QST6
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