型号: QSZ4TR
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-25-5
晶体管极性: NPN, PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
最大直流电集电极电流: 2 A
增益带宽产品fT: 280 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: QSZ4
直流电流增益 hFE 最大值: 680
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 270
Pd-功率耗散: 500 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: QSZ4
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