型号: R1LV0816ASD-5SI#B0
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
存储器类型： 易失
存储器格式： SRAM
技术： SRAM
存储容量： 8Mb （1M x 8，512K x 16）
写周期时间 - 字，页： 55ns
访问时间： 55ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 48-TSOP
供应商器件封装： 48-TSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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